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VBsemi Elec DTM6910-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DTM6910-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822389281 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | SOP-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.4605 | $ 4.6050 |
| 30+ | $0.4049 | $ 12.1470 |
| 100+ | $0.3493 | $ 34.9300 |
| 500+ | $0.3160 | $ 158.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec DTM6910-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 14W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 150pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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