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VBsemi Elec D3N50-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | D3N50-VB |
| EBEE-Teilenummer | E820417657 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4.5A 2100mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec D3N50-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.1Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 177pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
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