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VBsemi Elec CSD19503KCS-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD19503KCS-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87569107 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 7mΩ@10V 2.7V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.9429 | $ 9.4290 |
| 50+ | $0.8401 | $ 42.0050 |
| 100+ | $0.7229 | $ 72.2900 |
| 500+ | $0.6715 | $ 335.7500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec CSD19503KCS-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 376pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 35.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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