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VBsemi Elec CEB6601-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CEB6601-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8879039 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 35A 48mΩ@10V,35A 1 Piece P-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec CEB6601-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 48mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+100℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 200pF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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