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VBsemi Elec BSS131-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS131-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87525061 |
| Gehäuse | SOT-23(TO-236) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 600mA 1.55W 1.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1712 | $ 0.8560 |
| 50+ | $0.1674 | $ 8.3700 |
| 150+ | $0.1648 | $ 24.7200 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec BSS131-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.03W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 150+ | $0.1648 | $ 24.7200 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
