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VBsemi Elec BSP122-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSP122-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8724994 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 800mA 3.1W 2V@250uA 1 N-channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec BSP122-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 140pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
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