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VBsemi Elec BSP100-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSP100-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819188200 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 1 N-channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec BSP100-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 19mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 295pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 67pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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