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VBsemi Elec AOD450-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AOD450-VB |
| EBEE-Teilenummer | E829778642 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 10A 3W 0.245Ω@10V,3A 4V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.5415 | $ 5.4150 |
| 30+ | $0.4764 | $ 14.2920 |
| 100+ | $0.4113 | $ 41.1300 |
| 500+ | $0.3732 | $ 186.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec AOD450-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 245mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 80pF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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