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VBsemi Elec 50P06-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 50P06-VB |
| EBEE-Teilenummer | E83040282 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 50A 2.5W 0.02Ω@10V,50A 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4858 | $ 0.4858 |
| 10+ | $0.4753 | $ 4.7530 |
| 30+ | $0.4693 | $ 14.0790 |
| 100+ | $0.4617 | $ 46.1700 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec 50P06-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 305pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.95nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.4693 | $ 14.0790 |
| 100+ | $0.4617 | $ 46.1700 |
