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VBsemi Elec 2SK2796STL-E-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SK2796STL-E-VB |
| EBEE-Teilenummer | E818795049 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 18A 73mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3011 | $ 3.0110 |
| 30+ | $0.2671 | $ 8.0130 |
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| 500+ | $0.1977 | $ 98.8500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec 2SK2796STL-E-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 85mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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