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VBsemi Elec 2SJ527STR-E-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SJ527STR-E-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819632076 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 30A 61mΩ@10V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.4151 | $ 4.1510 |
| 30+ | $0.3673 | $ 11.0190 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec 2SJ527STR-E-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 72mΩ@4.5V;61mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 100pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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