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Truesemi TSK82N30M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TSK82N30M |
| EBEE-Teilenummer | E82935821 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 300V 82A 610W 46mΩ@10V,40A 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Truesemi TSK82N30M | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 46mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 67pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 610W | |
| Drain to Source Voltage | 300V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 82A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.904nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 783pF | |
| Gate Charge(Qg) | 123nC@10V |
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