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Texas Instruments CSD86330Q3D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD86330Q3D |
| EBEE-Teilenummer | E8129943 |
| Gehäuse | LSON-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 25V 20A 6W 8.8mΩ@5V,15A 900mV@250uA 2 N-Channel LSON-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | TI CSD86330Q3D | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+125℃ | |
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | Half-Bridge | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 23pF;49pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 6W | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V;1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Output Capacitance(Coss) | 455pF;880pF |
Einkaufsleitfaden
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