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Texas Instruments CSD25202W15
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD25202W15 |
| EBEE-Teilenummer | E82859947 |
| Gehäuse | DSBGA-9 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 4A 500mW 26mΩ@4.5V,2A 1.05V@250uA 1 Piece P-Channel DSBGA-9 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | TI CSD25202W15 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 52mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 27pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.05V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.01nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 520pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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