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Texas Instruments CSD22202W15
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD22202W15 |
| EBEE-Teilenummer | E82868981 |
| Gehäuse | DSBGA-9 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 8V 10A 1.5W 12.2mΩ@4.5V,2A 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel DSBGA-9 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5023 | $ 0.5023 |
| 10+ | $0.4312 | $ 4.3120 |
| 30+ | $0.3807 | $ 11.4210 |
| 100+ | $0.3396 | $ 33.9600 |
| 500+ | $0.3254 | $ 162.7000 |
| 1000+ | $0.3175 | $ 317.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 12.2mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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