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Texas Instruments CSD18504KCS
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD18504KCS |
| EBEE-Teilenummer | E82865770 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 100A 115W 5.5mΩ@10V,40A 1.9V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.0061 | $ 10.0610 |
| 30+ | $0.8940 | $ 26.8200 |
| 100+ | $0.7676 | $ 76.7600 |
| 500+ | $0.7108 | $ 355.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | TI CSD18504KCS | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 10.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 115W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 416pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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