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Texas Instruments CSD13306WT
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD13306WT |
| EBEE-Teilenummer | E82861410 |
| Gehäuse | DSBGA-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 12V 3.5A 1.9W 8.8mΩ@4.5V,1.5A 1V@250uA 1 N-channel DSBGA-6 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4131 | $ 1.4131 |
| 250+ | $0.5471 | $ 136.7750 |
| 500+ | $0.5288 | $ 264.4000 |
| 1000+ | $0.5178 | $ 517.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | TI CSD13306WT | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 12V | |
| Dauerdr. | 3.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 8.8mΩ@4.5V,1.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.9W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 294pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.37nF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.5288 | $ 264.4000 |
| 1000+ | $0.5178 | $ 517.8000 |
