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Texas Instruments CSD13302W
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD13302W |
| EBEE-Teilenummer | E82863791 |
| Gehäuse | DSBGA-4 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 12V 1.6A 17.1mΩ@4.5V,1A 1.8W 1.3V@250uA 1 N-channel DSBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1485 | $ 7.4250 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 17.1mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 862pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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