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Techcode Semicon TDM3532
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TDM3532 |
| EBEE-Teilenummer | E8380222 |
| Gehäuse | DFN-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 131A 78W 1.9mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel DFN-8(5.1x5.7) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3184 | $ 0.3184 |
| 10+ | $0.3123 | $ 3.1230 |
| 30+ | $0.3078 | $ 9.2340 |
| 100+ | $0.3033 | $ 30.3300 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Techcode TDM3532 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 180pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 78W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 131A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.66nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.485nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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| 30+ | $0.3078 | $ 9.2340 |
| 100+ | $0.3033 | $ 30.3300 |
