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Techcode Semicon TDM3512


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TDM3512
EBEE-Teilenummer
E8380220
Gehäuse
DFN-8(3x3)
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
None
Beschreibung
20V 50A 3.4mΩ@4.5V,13.5A 35W 500mV@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
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1000+$0.2067$ 206.7000
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6000+$0.2022$ 1213.2000
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattTechcode TDM3512
RoHS
TypN-Channel
RDS(on)7mΩ@1.8V
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)525pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation35W
Drain to Source Voltage20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Current - Continuous Drain(Id)50A
Ciss-Input Capacitance4.91nF
Output Capacitance(Coss)730pF
Gate Charge(Qg)[email protected]

Einkaufsleitfaden

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