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TECH PUBLIC STD35NF06L
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD35NF06L |
| EBEE-Teilenummer | E820611850 |
| Gehäuse | TO-252-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 50A 85W 20mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252-3L MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3137 | $ 1.5685 |
| 50+ | $0.2497 | $ 12.4850 |
| 150+ | $0.2222 | $ 33.3300 |
| 500+ | $0.1880 | $ 94.0000 |
| 2500+ | $0.1727 | $ 431.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC STD35NF06L | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.05nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 158pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC |
Einkaufsleitfaden
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