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TECH PUBLIC DMN2004DWK
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DMN2004DWK |
| EBEE-Teilenummer | E83011186 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 700mA 100mW 330mΩ@4.5V,650mA 1.5V@250uA 2 N-Channel SOT-363-6 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1213 | $ 0.6065 |
| 50+ | $0.0960 | $ 4.8000 |
| 150+ | $0.0833 | $ 12.4950 |
| 500+ | $0.0738 | $ 36.9000 |
| 3000+ | $0.0630 | $ 189.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC DMN2004DWK | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 410mΩ@25V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 700mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0960 | $ 4.8000 |
| 150+ | $0.0833 | $ 12.4950 |
| 500+ | $0.0738 | $ 36.9000 |
| 3000+ | $0.0630 | $ 189.0000 |
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