Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
TECH PUBLIC BSP149
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSP149 |
| EBEE-Teilenummer | E87603335 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 1A 2.1W 1.35Ω@10V,0.425A 2V@250uA SOT-223 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>2500 Auf Lager für schnelle Lieferung
2500 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4847 | $ 0.4847 |
| 10+ | $0.3802 | $ 3.8020 |
| 30+ | $0.3358 | $ 10.0740 |
| 100+ | $0.2804 | $ 28.0400 |
| 500+ | $0.2551 | $ 127.5500 |
| 1000+ | $0.2408 | $ 240.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC BSP149 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.35Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 11.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.2nC@5V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
2500 Stock for Shipping Fast
2500 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4847 | $ 0.4847 |
| 10+ | $0.3802 | $ 3.8020 |
| 30+ | $0.3358 | $ 10.0740 |
| 100+ | $0.2804 | $ 28.0400 |
| 500+ | $0.2551 | $ 127.5500 |
| 1000+ | $0.2408 | $ 240.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
