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STMicroelectronics STY60NM50
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STY60NM50 |
| EBEE-Teilenummer | E87021456 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 60A 560W 0.045Ω@10V,30A 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STY60NM50 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 45mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 200pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 560W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 980pF | |
| Gate Charge(Qg) | 266nC@400V |
Einkaufsleitfaden
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