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STMicroelectronics STY112N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STY112N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E82965377 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 96A 19mΩ@10V,48A 625W 2.1V@250uA TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STY112N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 96A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 19mΩ@10V,48A | |
| Stromableitung (Pd) | 625W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 16870pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 350nC |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
