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STMicroelectronics STY100NM60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STY100NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E817561196 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 98A 29mΩ@10V,49A 625W 4V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $55.8538 | $ 55.8538 |
| 210+ | $22.2876 | $ 4680.3960 |
| 510+ | $21.5428 | $ 10986.8280 |
| 990+ | $21.1740 | $ 20962.2600 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STY100NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 98A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 29mΩ@10V,49A | |
| Stromableitung (Pd) | 625W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9.6nF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 330nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 510+ | $21.5428 | $ 10986.8280 |
| 990+ | $21.1740 | $ 20962.2600 |
