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STMicroelectronics STW9N150
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW9N150 |
| EBEE-Teilenummer | E8388524 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.5kV 8A 320W 1.8Ω@10V,4A 3V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW9N150 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.5Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 22.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320W | |
| Drain to Source Voltage | 1.5kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.255nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 294pF | |
| Gate Charge(Qg) | 89.3nC@10V |
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