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STMicroelectronics STW75N65DM6-4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW75N65DM6-4 |
| EBEE-Teilenummer | E83281097 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 75A 36mΩ@10V,37.5A 480W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $14.5414 | $ 14.5414 |
| 200+ | $5.6286 | $ 1125.7200 |
| 500+ | $5.4297 | $ 2714.8500 |
| 1000+ | $5.3322 | $ 5332.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW75N65DM6-4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 75A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 36mΩ@10V,37.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 480W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.25V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 280pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 5700pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 118nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $14.5414 | $ 14.5414 |
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| 500+ | $5.4297 | $ 2714.8500 |
| 1000+ | $5.3322 | $ 5332.2000 |
