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STMicroelectronics STW70N65DM6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW70N65DM6 |
| EBEE-Teilenummer | E83281074 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 68A 40mΩ@10V,34A 450W 4.75V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW70N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 40mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 450W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 280pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC@10V |
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