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STMicroelectronics STW56N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW56N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E82971376 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 50A 60mΩ@10V,25A 360W 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $19.5683 | $ 19.5683 |
| 10+ | $18.7051 | $ 187.0510 |
| 30+ | $17.2100 | $ 516.3000 |
| 100+ | $15.9058 | $ 1590.5800 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW56N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 360W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 190pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $19.5683 | $ 19.5683 |
| 10+ | $18.7051 | $ 187.0510 |
| 30+ | $17.2100 | $ 516.3000 |
| 100+ | $15.9058 | $ 1590.5800 |
