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STMicroelectronics STW55NM60ND
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW55NM60ND |
| EBEE-Teilenummer | E834349 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 51A 0.06Ω@10V,25.5A 350W 4V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.2724 | $ 11.2724 |
| 10+ | $10.7756 | $ 107.7560 |
| 30+ | $9.9143 | $ 297.4290 |
| 90+ | $9.1627 | $ 824.6430 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW55NM60ND | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 51A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 190nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $11.2724 | $ 11.2724 |
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| 30+ | $9.9143 | $ 297.4290 |
| 90+ | $9.1627 | $ 824.6430 |
