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STMicroelectronics STW45N60DM2AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW45N60DM2AG |
| EBEE-Teilenummer | E8501088 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 34A 0.093Ω@10V,17A 250W 4V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7834 | $ 7.7834 |
| 10+ | $6.9190 | $ 69.1900 |
| 30+ | $6.3918 | $ 191.7540 |
| 100+ | $5.9499 | $ 594.9900 |
| 500+ | $5.8824 | $ 2941.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW45N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 34A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.093Ω@10V,17A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.5nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 56nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7834 | $ 7.7834 |
| 10+ | $6.9190 | $ 69.1900 |
| 30+ | $6.3918 | $ 191.7540 |
| 100+ | $5.9499 | $ 594.9900 |
| 500+ | $5.8824 | $ 2941.2000 |
