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STMicroelectronics STW3N170
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW3N170 |
| EBEE-Teilenummer | E82961104 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.7kV 2.6A 13Ω@10V,1.3A 160W 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $2.6488 | $ 26.4880 |
| 30+ | $2.3964 | $ 71.8920 |
| 100+ | $2.1424 | $ 214.2400 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW3N170 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 13Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
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