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STMicroelectronics STW18N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW18N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E85268749 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 15A 0.198Ω@10V,7.5A 110W 4V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5562 | $ 4.5562 |
| 10+ | $3.9247 | $ 39.2470 |
| 30+ | $3.5482 | $ 106.4460 |
| 90+ | $3.1686 | $ 285.1740 |
| 510+ | $2.9935 | $ 1526.6850 |
| 990+ | $2.9136 | $ 2884.4640 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STW18N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 198mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.24nF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $3.9247 | $ 39.2470 |
| 30+ | $3.5482 | $ 106.4460 |
| 90+ | $3.1686 | $ 285.1740 |
| 510+ | $2.9935 | $ 1526.6850 |
| 990+ | $2.9136 | $ 2884.4640 |
