Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
STMicroelectronics STU7NM60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STU7NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E8310414 |
| Gehäuse | IPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 5A 0.9Ω@10V,2.5A 20W 2V@250uA 1 N-channel IPAK MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>35 Auf Lager für schnelle Lieferung
35 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6022 | $ 0.6022 |
| 10+ | $0.4887 | $ 4.8870 |
| 30+ | $0.4320 | $ 12.9600 |
| 100+ | $0.3752 | $ 37.5200 |
| 500+ | $0.3421 | $ 171.0500 |
| 1000+ | $0.3248 | $ 324.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STU7NM60N | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 900mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 363pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
35 Stock for Shipping Fast
35 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6022 | $ 0.6022 |
| 10+ | $0.4887 | $ 4.8870 |
| 30+ | $0.4320 | $ 12.9600 |
| 100+ | $0.3752 | $ 37.5200 |
| 500+ | $0.3421 | $ 171.0500 |
| 1000+ | $0.3248 | $ 324.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
