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STMicroelectronics STU16N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STU16N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8501067 |
| Gehäuse | TO-251(IPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 12A 0.32Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7740 | $ 0.7740 |
| 10+ | $0.7580 | $ 7.5800 |
| 30+ | $0.7474 | $ 22.4220 |
| 100+ | $0.7367 | $ 73.6700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STU16N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.32Ω@10V,6A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 700pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 19nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.7474 | $ 22.4220 |
| 100+ | $0.7367 | $ 73.6700 |
