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STMicroelectronics STS8DN6LF6AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STS8DN6LF6AG |
| EBEE-Teilenummer | E8155609 |
| Gehäuse | SOIC-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 8A 24mΩ@10V,4A 3.2W 2.5V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | ST STS8DN6LF6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 24mΩ@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.2W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.34nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 27nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
