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STMicroelectronics STS8DN3LLH5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STS8DN3LLH5 |
| EBEE-Teilenummer | E82970954 |
| Gehäuse | SOIC-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 10A 0.019Ω@10V,5A 2.7W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | ST STS8DN3LLH5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.019Ω@10V,5A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.7W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 724pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 5.4nC@15V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
