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STMicroelectronics STS4DPF20L
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STS4DPF20L |
| EBEE-Teilenummer | E8169096 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 4A 2W 0.07Ω@10V,2A 1.6V@250uA 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STS4DPF20L | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 100mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 130pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 490pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@5V |
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