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STMicroelectronics STP80NF10
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP80NF10 |
| EBEE-Teilenummer | E838050 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 80A 300W 0.015Ω@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2022 | $ 2.2022 |
| 10+ | $1.8970 | $ 18.9700 |
| 30+ | $1.7059 | $ 51.1770 |
| 100+ | $1.5115 | $ 151.1500 |
| 500+ | $1.4232 | $ 711.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP80NF10 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 15mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 175pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 700pF | |
| Gate Charge(Qg) | 182nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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