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STMicroelectronics STP7N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP7N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82965433 |
| Gehäuse | TO-220-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 5A 950mΩ@10V,2.5A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0677 | $ 2.0677 |
| 200+ | $0.8005 | $ 160.1000 |
| 500+ | $0.7731 | $ 386.5500 |
| 1000+ | $0.7585 | $ 758.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP7N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 950mΩ@10V,2.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 271pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 8.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 200+ | $0.8005 | $ 160.1000 |
| 500+ | $0.7731 | $ 386.5500 |
| 1000+ | $0.7585 | $ 758.5000 |
