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STMicroelectronics STP6N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP6N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E87089892 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 4A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5197 | $ 1.5197 |
| 200+ | $0.6065 | $ 121.3000 |
| 500+ | $0.5856 | $ 292.8000 |
| 1000+ | $0.5768 | $ 576.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP6N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | - | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.65pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 226pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 9.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1000+ | $0.5768 | $ 576.8000 |
