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STMicroelectronics STP57N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP57N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E82935150 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 42A 250W 63mΩ@10V,21A 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP57N65M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 63mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@10V |
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