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STMicroelectronics STP50N65DM6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP50N65DM6 |
| EBEE-Teilenummer | E83280383 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 33A 250W 91mΩ@10V,16.5A 3.25V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1225 | $ 7.1225 |
| 200+ | $2.7575 | $ 551.5000 |
| 500+ | $2.6600 | $ 1330.0000 |
| 1000+ | $2.6120 | $ 2612.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP50N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 33A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 91mΩ@10V,16.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.25V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.3nF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 52.5nC |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $2.6120 | $ 2612.0000 |
