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STMicroelectronics STP34N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP34N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8501034 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 28A 90mΩ@10V,14A 190W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0903 | $ 3.0903 |
| 10+ | $3.0265 | $ 30.2650 |
| 30+ | $2.9838 | $ 89.5140 |
| 100+ | $2.9412 | $ 294.1200 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP34N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 90mΩ@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.3pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.7nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 62.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0903 | $ 3.0903 |
| 10+ | $3.0265 | $ 30.2650 |
| 30+ | $2.9838 | $ 89.5140 |
| 100+ | $2.9412 | $ 294.1200 |
