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STMicroelectronics STP33N60M6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP33N60M6 |
| EBEE-Teilenummer | E85268765 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 25A 125mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP33N60M6 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 125mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.515nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33.4nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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