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STMicroelectronics STP33N60DM6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP33N60DM6 |
| EBEE-Teilenummer | E8501033 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 128mΩ@10V,12.5A 190W 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $2.2941 | $ 22.9410 |
| 30+ | $2.0270 | $ 60.8100 |
| 100+ | $1.7522 | $ 175.2200 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP33N60DM6 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 128mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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