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STMicroelectronics STP33N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP33N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E8672104 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 24A 130mΩ@10V,12A 190W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7773 | $ 3.7773 |
| 10+ | $3.6991 | $ 36.9910 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.5944 | $ 359.4400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP33N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 24A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 130mΩ@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.87nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 43nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $3.6991 | $ 36.9910 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.5944 | $ 359.4400 |
