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STMicroelectronics STP28N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP28N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82971588 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 20A 0.18Ω@10V,10A 30W 3V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2937 | $ 6.2937 |
| 10+ | $5.4598 | $ 54.5980 |
| 30+ | $4.9521 | $ 148.5630 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP28N65M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 180mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.44nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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