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STMicroelectronics STP21N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP21N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8495253 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 17A 150mΩ@10V,8.5A 125W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6637 | $ 3.6637 |
| 10+ | $3.5837 | $ 35.8370 |
| 30+ | $3.5305 | $ 105.9150 |
| 100+ | $3.3087 | $ 330.8700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP21N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 17A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 150mΩ@10V,8.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.95nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 50nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $3.6637 | $ 3.6637 |
| 10+ | $3.5837 | $ 35.8370 |
| 30+ | $3.5305 | $ 105.9150 |
| 100+ | $3.3087 | $ 330.8700 |
